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原标题：中一科技今日大宗交易折价成交8万股，成交额344.4万元

中一科技8月9日大宗交易成交8万股，成交额344.4万元，占当日总成交额的17.48%，成交价43.05元，较市场收盘价43.93元折价2.0%。

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新 闻① ： 高通将与四家行业巨头合作组建新公司，目标是开发RISC-V处理器

虽然高通在ARM芯片市场里的地位相当重要，但这并不代表着这间公司会all in ARM。根据 Ars Technica 的报道，高通正在和其他几家大公司合作，以组建一家新公司的形式去开发RISC-V处理器。

该联盟的阵容除了高通，还包括博世，英飞凌，Nordic半导体，恩智浦半导体四家公司。附带一提，这四家都是欧洲公司，因此它们联合组建的新公司也将会位于德国。

高通在 新闻稿 里表示，该公司旨在加速基于开源RISC-V架构产品的商用化进程。该公司将会专注于RISC-V兼容产品，提供参考架构设计，并且帮助建立可在业界得到广泛应用的解决方案。一开始的时候，这家公司的应用会聚焦于汽车行业，但最终会扩展到移动和物联网设备。

“我们对于和其他业界伙伴一起，通过开发下一代硬件以扩展RISC-V生态系统的这件事感到十分兴奋。”高通产品管理高级副总裁Ziad Asghar表示，“高通已经在RISC-V领域投入了超过五年时间，而且我们还在许多商用平台里面集成了RISC-V微控制器。我们相信RISC-V开源 指令集 会推动创新，并且拥有改变业界的潜力。”

不过正如新闻稿里所说的一样，这家公司还是处于组建状态，甚至还没有得到命名，因此如果我们想看到实际落地的产品，乃至用上基于其芯片的手机的话，恐怕还得等待相当长的一段时间。

原文链接：https://www.expreview.com/89533.html

自从ARM的一系列操作之后，高通终于也不再是ARM的忠实拥蹩了，之前就已经收购了NUVIA去搞自研的Oryon内核，现在又拉拢四大半导体巨头，要合作开发RISC-V架构处理器。RISC-V架构并不是什么很新鲜的东西，类似社区性质的开源特性令RISC-V的前景值得期待。这个架构在几年前，还曾被中科院团队拿来开发过高性能的香山国产处理器，曾经一度被认为是国产处理器最好的路线。别的暂且不论，RISC-V开源的特性，五大巨头的加入绝不会是垄断的形式，而是会为RISC-V社区注入更多的优势，属于是反哺社区了。

所以，五大巨头的加入绝对是值得期待的，不知道新的RISC-V家族成员能创造怎样的辉煌？又能为家族带来什么样的新鲜血液呢？？

新 闻 ②： 消息称高通 Oryon 芯片将提供 8、10 核型号，而不仅仅是 12 核 CPU

根据 WinFuture 获得到的一份内部文档，高通正在开发 SC8350、SC8350X、SC8370、SC8370XP 以及 SC8380 和 SC8380XP 等型号的新型 Oryon 内核芯片，也就是适用于 Windows 的“Hamoa”。

据称，最后两个是之前公布的 12 核处理器，将具有八个性能核心和四个效能核心；而 SC8350 和 SC8370 将分别拥有四个和六个性能核心，其中一些可能是“增强”版本（带有加号）。

外媒表示，这两个 12 核型号应该会以骁龙 8cx Gen 4 的身份面世，而其他型号应该会是骁龙 8c 和 7c 之类的产品。

根据IT之家此前报道，由于 ARM 授权收紧，高通最快在 SM8750（骁龙 8 Gen 4）中使用自研架构 Nuvia，和 ARM 双版本丛集都是 2+6。

目前尚不清楚这些芯片组是否会同时发布，但之前的各种信息表明新的 Hamoa 芯片将于 10 月推出，可能会与骁龙 8 Gen 3 同台发布，而首批搭载 Hamoa 的设备预计将于 2024 年初推出。

原文链接：https://m.ithome.com/html/711175.htm

上文提到过，RISC-V并不是高通最早选择绕过ARM的途径，最早是通过收购NUVIA研发自己的Oryon内核，而现在，初步的成果似乎就要来了。看起来，高通针对这最初的Oryon芯片准备了不少配置组合，从8核到12核，不同的性能核、能效核搭配，想来产品应该不会匮乏。但是，目前曝光的消息仅仅集中在Oryon内核版本，按照之前的曝光，高通会在初期保持Oryon+ARM的双重路线，难道是Oryon完成度太高，高通直接在初代就放弃ARM了？？

新 闻 ③ ： 英特尔先进工艺计划或再遇挫折，传高通已停止设计基于Intel 20A制程的芯片

在两年前的“英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会”上，英特尔CEO帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）雄心勃勃地 公布 了最新工艺路线图，力求在四年里迈过5个制程节点，分别是Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和Intel 18A，目标半导体制造工艺可以在2025年赶上台积电（TSMC），同时围绕“IDM 2.0”战略打造世界一流的英特尔代工服务（IFS）。

英特尔在过去两年里，多次表示先进工艺开发方面进展顺利。今年3月，英特尔高级副总裁兼中国区董事长王锐在接受媒体采访时 表示 ，Intel 20A和Intel 18A工艺制程已测试流片，并坚信到2025年能够重新回领先地位。不过近日有分析师 透露 ，高通可能已停止设计基于Intel 20A工艺的芯片，意味着Intel 18A工艺的研发和量产将面临更高的不确定性和风险。

如果消息属实，相信对于雄心勃勃的英特尔来说是一个严重的打击。今年3月，英特尔才和Arm达成了 协议 ，让芯片设计者能够基于Intel 18A工艺打造低功耗的SoC，首先聚焦的便是移动设备，而高通恰恰是该领域的龙头企业。

按照英特尔的计划，将在Intel 20A制程节点首次引入RibbonFET和PowerVia两大突破性技术，从而开启埃米时代。其中RibbonFET是对全环绕栅极晶体管（Gate All Around）的实现，将成为英特尔自2011年推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。PowerVia是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

数天前，英特尔还发文专门 了PowerVia技术。英特尔表示，应用新技术后，芯片制造更像三明治，首先还是制造晶体管，然后添加互连层，接着翻转晶圆并进行打磨，在晶体管底层接上电源线。背面供电一方面让晶体管供电的路径变得非常直接，可以减少信号串扰，降低功耗，将平台电压降低优化30%。另一方面，解决了晶体管尺寸不断缩小带来的互连瓶颈，实现了6%的频率增益和超过90%的标准单元利用率。此外，英特尔还开发了全新的散热技术，并在基于Intel 4的、经过充分验证的测试芯片上进行了反复调试，测试芯片展示了良好的散热特性，PowerVia能达到了相当高的良率和可靠性指标。

原文链接： https://www.expreview.com/89585.html

不过，之前大力渲染的高通与Intel的代工协议似乎出问题了，之前Intel CEO站出来说过目前Intel发展一切正常，包括Intel 20A和intel 17A工艺，但看高通的反应似乎并不是这样？Intel很可能是高估了Intel 20A工艺的产能和良率，很可能达不到对外代工的标准。不过，如果Intel CEO没撒谎，Intel 20A工艺的产品应该最快在明年就能见面，不知道能不能见到了。

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